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BSS139 H6327 /MOSFET N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
BSS139 H6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Depletion

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.06 S

下降时间:182 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:5.8 ns

零件号别名:BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1 SP000702610

单位重量:8 mg

供应商BSS139 H6327
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BSS139 H6327InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品1+:¥3.29
10+:¥2.55
25+:¥2.15
100+:¥1.76
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BSS139 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 30mA SOT-23-31:¥3.1527
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RS_hk(欧时香港)
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BSS139 H6327Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥1.8143
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